商業(yè)模式:設備作為工業(yè)投資品是終端需求的 “二階導”,設備環(huán)節(jié)是由下游產(chǎn)能投資驅(qū)動的周期成長股;光伏設備的不同之處:設備技術迭代是推動光伏行業(yè)增效降本的關鍵環(huán)節(jié),較快的迭代周期使得 設備呈現(xiàn)“耗材”屬性。
設備“耗材化”對基本面的影響:成長期:技術迭代拉長設備高景氣的持續(xù)時間;市場空間及增速:每一輪技術迭代存量設備全部更新,市場空間更大,新技術變革落地爆發(fā)性很強;競爭格局:技術持續(xù)更新,有先發(fā)優(yōu)勢的頭部企業(yè)具備較強議價權,享受較好格局及超額盈利。現(xiàn)狀及展望:當前現(xiàn)狀:光伏行業(yè)仍處于成長階段,短期下游新增裝機量增速邊際放緩;未來展望:重點關注新技術變革中的結(jié)構性成長機會,把握在新技術中搶占先機的優(yōu)質(zhì)龍頭公司。降本增效驅(qū)動光伏技術快速迭代,技術迭代帶來設備持續(xù)升級 。硅片端:N型替代P型、大尺寸、薄片化、半片前置是未來發(fā)展趨勢。其中大尺寸技術滲透率85%以上,薄片化和半片技術仍在持續(xù)推進;主要受益設備包括:單晶爐(低氧單晶爐)、切割設備、金剛線(細線化、鎢絲)。電池端:TOPCon率先放量,中期HJT有望降本放量,長期鈣鈦礦疊層電池空間廣闊。對應新技術包括:TOPCon(LPCVD雙插、雙面PEPoly)、HJT(銅電鍍、銀包銅、激光轉(zhuǎn)印、0BB)、鈣鈦礦(涂布技術、激光技術);主要受益設備:鍍膜設備、新技術相關設備等。組件端:多主柵+無主柵+半片技術推動組件設備更新迭代。組件端新技術屬于被動迭代,主要受硅片端和電池片端技術推動,包括多/ 無主柵焊接技術、半片、三分片技術、薄片串焊技術。主要受益設備:串焊機、激光劃片機、疊片機等。2023年硅片設備市場規(guī)模有所下降,電池片設備空間大幅上升,組件設備規(guī)模較為穩(wěn)定 。2023年光伏新增裝機容量:PV-InfoLink預期2023年全球新增裝機容量約350GW,Trendforce預期2023年全球新增光伏裝機量將達到 351GW,CPIA預計2023年光伏全球新增裝機容量約305-350GW。綜合來看,2023年光伏新增裝機容量預計350GW。硅片設備空間:硅片設備單GW投資約1.5-2億/GW,其中單晶爐價值量占比約65%-70%,切片機占比約15%,預計2023/2024/2025年硅片設 備市場空間約263/239/188億元。電池片設備空間:PERC設備單GW投資額約1.3-1.5億元,TOPCon設備單GW投資額約1.5-1.8億元,HJT單GW投資額約3.5-4億元左右,預計 2023/2024/2025年電池片設備市場空間約616/705/800億元。組件設備市場空間:設備單GW投資額約0.7億元,其中串焊機價值量占比約35%,預計2023/2024/2025年組件設備市場空間約220/275/211 億元。
硅片設備
硅片設備需求核心驅(qū)動力為新增裝機容量,技術迭代主要適應硅片大尺寸、薄片化趨勢。核心驅(qū)動力:新增光伏裝機容量、新技術變革。大尺寸:166向182、210轉(zhuǎn)變,目前182已成為主流,并向210發(fā)展;硅片大尺寸趨勢帶動設備端呈現(xiàn)大尺寸變化。薄片化:N型硅片硅片已實現(xiàn)120-140μm量產(chǎn),部分先進企業(yè)中試線量產(chǎn)80μm硅片,薄片化對設備加工要求更高,以及對金剛線的細線 化需求更高。P型→N型:隨著N型電池片的快速擴產(chǎn),N型硅片已成為未來趨勢,硅片N型化對拉晶設備、硅片設備加工精度要求更高。核心設備:拉晶環(huán)節(jié),單晶爐為核心設備,真空泵作為單晶爐的配套設備,用于建立真空環(huán)境。核心耗材:拉晶過程中,單晶爐里配套使用的耗材包括石英坩堝、碳碳熱場。當前關注點:主要關注供需,重點關注石英坩堝供應情況、連續(xù)直拉(CCZ)工藝、顆粒硅以及低氧型單晶爐進展。直拉法是生產(chǎn)硅棒的主要方式。拉晶是指在特定環(huán)境下,將多晶硅料生長成硅體的過程,目前硅棒生產(chǎn)主要以單晶硅棒為主。單晶硅棒主要采用直拉法或區(qū)熔法;多晶 硅棒主要采用鑄錠法形成多晶硅錠。直拉法:光伏單晶硅棒生產(chǎn)的主要方法。通過石墨電阻加熱,將裝在坩堝中的多晶硅熔化,然后將籽晶插入熔體表面進行熔接,經(jīng)過引 晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑、收尾等步驟,完成單晶硅棒拉制。優(yōu)點是價格便宜,可拉制直徑大、生長速率可;缺點是雜質(zhì)較高。區(qū)熔法:利用熱能在多晶硅錠一段產(chǎn)生融區(qū),熔接單晶籽晶,通過調(diào)節(jié)溫度使得融區(qū)緩慢上移,生成單晶硅棒。區(qū)熔法不需要使用坩堝, 產(chǎn)品的純度高,雜質(zhì)少,但受生長機制的限制,區(qū)熔法通常用于生產(chǎn)8英寸以下硅棒,常用做IGBT功率半導體器件硅棒生產(chǎn)。拉晶設備及耗材:單晶爐是拉晶環(huán)節(jié)的核心設備單晶爐為拉晶環(huán)節(jié)核心設備,石英坩堝、碳碳熱場為主要耗材。直拉單晶爐:拉晶環(huán)節(jié)主設備,主要由爐體、電器部分、熱系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和氬氣裝置組成。石英坩堝:拉制單晶硅棒的消耗性器皿,用于盛裝熔融狀態(tài)的硅料,通常需要在一次或幾次拉晶完成后進行更換,屬于耗材屬性。碳碳熱場:碳碳熱場主要指碳纖維單晶爐熱場,包括坩堝、導流筒保溫筒、加熱器,其中坩堝的作用是承載內(nèi)層的石英坩堝;導流筒的 作用引導氣流,形成溫度梯度,提升硅棒生長的速率;保溫筒的作用是隔熱保溫,構建熱場空間;加熱器的作用是提供熱源,熔化硅料。真空泵:用于拉晶過程中建立真空環(huán)境。切片環(huán)節(jié)設備:切片機為核心設備,金剛線為主要耗材多線切片機為核心設備,金剛線為主要耗材。多線切片機:切片機是通過電機驅(qū)動工作輥往復運動,工件以給定的速度向下運動,使金剛石線與切割件保持一定的壓力,通過往復運 動的金剛石線達到切割的目的。金剛線:金剛石線是通過一定的方法將金剛石微粉顆粒均勻地固結(jié)在高強度鋼線基體上制成的,是光伏硅片、藍寶石等硬脆材料切割過 程中所使用的耗材。截斷機、開方機、倒磨機:截斷機是使用金剛線對硅棒進行截斷、去頭尾的設備;開方機是使用金剛線對硅棒進行開方加工的設備;倒磨主要用于硅棒外徑滾磨以獲得精確的直徑。清洗機、分選機:清洗機用于對硅片進行脫膠、清洗;分選機是對清洗后的硅片會被進行不同等級的篩選。
電池片設備
電池片環(huán)節(jié):光、電損失是影響電池效率的核心因素PN結(jié)是光伏電池的基本結(jié)構 。光伏發(fā)電原理是利用光生伏特效應,在PN結(jié)上形成電位差。P型電池是在P型硅片里面摻入磷元素(擴磷)形成PN結(jié),N型電池是在N 型硅片中摻入硼元素(擴硼)形成PN結(jié)。光學損失和電學損失是影響光伏電池轉(zhuǎn)換效率的兩大因素。光學損失:1)電池前表面太陽光反射損失;2)金屬柵線遮擋太陽光損失。電學損失:1)電子空穴復合損失:復合速率越低,電池效率越高;2)電阻損失:包括串聯(lián)電阻損失(硅片基體電阻、擴散方塊電 阻、柵線電阻和接觸電阻),并聯(lián)電阻損失(硅片雜質(zhì)過多,硅片邊緣刻蝕),并聯(lián)電阻越大越好,串聯(lián)電阻越小越好。減少光學損失和電學損失是光伏電池片技術迭代的核心邏輯 。減少光學反射損失方法:制絨、增加減反射膜(通常為氮化硅)、改進金屬柵線電極形狀。降低電學損失方法:1)降低電子空穴復合速率:沉積鈍化層、增加鋁背電場、淺結(jié)設計;2)降低電阻損失:邊緣刻蝕增加并聯(lián)電 阻、SE局部高摻雜降低串聯(lián)電阻。電池片環(huán)節(jié)趨勢:產(chǎn)業(yè)當前從PERC轉(zhuǎn)向TOPCon、HJT階段產(chǎn)業(yè)當前從PERC轉(zhuǎn)向TOPCon、HJT階段。從產(chǎn)業(yè)化看,電池片經(jīng)歷了從AI-BSF到PERC,目前正向TOPCON、HJT轉(zhuǎn)變。2015年之前,主流電池是鋁背場電池(AI-BSF),目前 基本已被淘汰;2016年,PERC電池技術逐步替代AI-BSF,成為市場主流電池技術,但其轉(zhuǎn)換效率已接近上限。目前N型電池成為未 來電池發(fā)展的主要方向。N型電池主要類型有TOPCON、HJT 、IBC。從研究方向看,鈣鈦礦疊層電池為前沿研究方向。鈣鈦礦電池是將ABX3作為吸光層制成的薄膜型太陽能電池。鈣鈦礦電池能有效地 利用紫外和藍綠可見光,晶硅電池可以有效地利用紅外光。將鈣鈦礦與HJT、IBC等晶硅電池疊層,可以更高效吸收光譜,進一步提 升光伏電池轉(zhuǎn)換效率。TOPCon技術變革:LPCVD雙插、雙面PE-POLYLPCVD雙插、雙面PE-POLY或?qū)⒊蔀?TOPCon下一個技術變革點 。PECVD路線占比約53%,占比較高:目前在 建+在產(chǎn)的TOPCon產(chǎn)能中,43%的廠商選擇 了LP,主要用戶為晶科和捷泰;PECVD路線占比約53%,主要廠商包括潤陽、沐邦、 通威和天合;另有4%客戶選擇了PVD。TOPCon激光SE技術已實現(xiàn)大幅突破,有望 進一步提高TOPcon效率:激光SE技術相較 TOPCon二次硼擴工藝簡單、成本低,且能夠進一步提高效率。目前TOPCon提效大約 在 0.2% , 未 來 有 望 提 高 到 0.4% , 預 期 TOPCon激光SE技術有望快速發(fā)展,成為 TOPCon技術標配。LPCVD雙插、雙面POLY是未來主要技術革 新點:LPCVD雙插能夠在提高產(chǎn)能的同時 減輕繞鍍,目前晶科、捷泰、正泰正在快 速 導 入 ;雙面 PE-POLY 有 望 進 一 步 提 高 TOPCon效率0.5%-1%,目前已有廠商在進行布局,預期明年有望推向市場。鈣鈦礦:提高穩(wěn)定性,大面積制備是當前難點提高穩(wěn)定性,大面積制備鈣鈦礦電池是當前難點。穩(wěn)定性弱、難以大面積制備是制約鈣鈦礦電池產(chǎn)業(yè)化主要原因。穩(wěn)定性弱主要系鈣鈦礦是離子型的晶體,內(nèi)部缺陷較多,離子在內(nèi)部 擴散導致性能下降,整體穩(wěn)定性和電池壽命較弱;難以大面積制備主要系:1)電池面積增加后,鈣鈦礦電池串聯(lián)電阻增長明顯;2) 鈣鈦礦層大面積制備均勻性較差,目前主要有溶液涂布法和真空鍍膜法。狹縫涂布為目前鈣鈦礦層制備主流方法。溶液涂布是將液態(tài)涂布物質(zhì)涂到基底上,通過干燥固化形成鈣鈦礦層,包括狹縫涂布、刮刀 涂布、超聲噴涂和噴墨打印,其中狹縫涂布為目前主流量產(chǎn)方式。該方法優(yōu)點是成本低、設備兼容度高、原料利用率高,缺點是大面 積制備均勻性較差。真空鍍膜能夠解決均勻性問題,目前仍有難度需要突破。真空鍍膜是在高真空環(huán)境下將靶材以氣相的形式沉積到基底,形成鈣鈦礦層, 包括蒸發(fā)鍍膜、磁控濺射鍍膜(PVD)、等離子源鍍膜(RPD),目前蒸鍍法為主流方法,該方法的優(yōu)點是大面積制備均勻性好,缺點 是目前設備成本高,鍍膜速率低,備對于鈣鈦礦層配方調(diào)整的兼容度低、目前效率記錄低于溶液法。
組件設備
組件工藝及設備:串焊機為核心設備,價值量占比約30%+組件設備價值量:組件設備投資額約0.65億元/GW,其中串焊機、層壓機設價值量占比較高。組件環(huán)節(jié)呈現(xiàn)多主柵、無主柵的技術發(fā)展趨勢,對應帶動設備更新迭代 。無主柵:取消傳統(tǒng)的主柵,用銅絲焊帶直接連接細柵,達到匯集電流、連接電池片的目的。驅(qū)動力:降低銀漿耗量是目前降低光伏電池片成本關鍵,因此催生無主柵技術發(fā)展。優(yōu)勢:1)節(jié)約銀漿:無主柵結(jié)構及采用銅絲焊帶可節(jié)約銀漿;2)可實現(xiàn)低溫焊接;無主柵通常用銅絲焊帶,可實現(xiàn)較低120℃焊接, 傳統(tǒng)錫鉛合金焊帶的熔點在180℃;3)無主柵可減少正面遮擋。無主柵技術方案:1)SmartWire;2)點膠方案;3)先焊接后點膠。
對設備的影響:1)若采用SmartWire,設備變成復合機(銅絲與薄膜復合)+新型串焊機(預壓)+層壓機(焊接);2)若點膠,需要全 新的串焊機設備。