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發(fā)布時(shí)間:2018-09-18 來(lái)源:元祿光電
刻蝕就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法,有選擇地把沒(méi)有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去,從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。簡(jiǎn)單點(diǎn)說(shuō)就是通過(guò)刻蝕技術(shù)在薄膜上繪制不同的圖形,得到工藝要求的圖案。在半導(dǎo)體工藝,按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)。
刻蝕技術(shù)分為干法刻蝕和濕法刻蝕,濕法刻蝕主要是指化學(xué)刻蝕,干法刻蝕主要指等離子刻蝕和激光刻蝕。
濕法化學(xué)刻蝕
濕法化學(xué)刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。這種刻蝕方法的優(yōu)點(diǎn)是適應(yīng)性強(qiáng),均勻性較好,適合于大部分材料;缺點(diǎn)是圖形刻蝕保真較差,刻蝕線寬不均勻難以掌控,切刻蝕線寬無(wú)法做到精密,因此對(duì)于消費(fèi)電子領(lǐng)域精密度越來(lái)越高的要求下,逐漸被淘汰,被激光刻蝕所取代,但他價(jià)格相對(duì)便宜,適合于大批量生產(chǎn),在光伏行業(yè)中仍然占有一定量的占有率。
干法刻蝕
1.等離子刻蝕
等離子刻蝕是指利用高頻輝光放電反應(yīng),將反應(yīng)氣體激活成活性粒子,如源自或游離基,這些活性粒子擴(kuò)散到刻蝕的部位,在哪里與被刻蝕材料進(jìn)行反應(yīng),形成揮發(fā)性生成物而被去除,達(dá)到刻蝕的目的。等離子科室的特點(diǎn)是能像異性刻蝕,能夠保證細(xì)小圖形的保真性。缺點(diǎn)是刻蝕的精度不夠,且設(shè)備昂貴。
2.激光刻蝕
激光刻蝕機(jī)是利用高能量激光光束照射到被刻蝕工件表面,使其融化、氣化,形成一定深度的凹槽,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料刻蝕的目的。激光刻蝕的特點(diǎn)是刻蝕良品率高、穩(wěn)定性高,靈活性好,可以實(shí)現(xiàn)不同圖形不同角度的一次性成型技術(shù),且無(wú)耗材、無(wú)污染,成本低。相比較于濕法刻蝕,缺點(diǎn)是刻蝕速度比濕法刻蝕低,無(wú)法滿足超大批量的生產(chǎn)。因此在精度要求較低的行業(yè)中往往采用濕法刻蝕,在要求精度高的情況下往往都采用激光刻蝕手段。
激光刻蝕機(jī)
激光刻蝕非常適合于消費(fèi)類電子行業(yè)的刻蝕手段,如觸摸屏行業(yè)的銀漿刻蝕、ITO薄膜刻蝕等。在一些光伏行業(yè)如鋁箔膜、銅薄膜的一些高端領(lǐng)域中激光刻蝕技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛。
綜合比較結(jié)合市場(chǎng)實(shí)際情況來(lái)看,濕法刻蝕的市場(chǎng)正在一步步為激光刻蝕所取代,一方面是因?yàn)榧す饪涛g技術(shù)越來(lái)越成熟,價(jià)格越來(lái)越便宜,另一方面,激光刻蝕技術(shù)的加工精密度越來(lái)越高,可以做到10微米以內(nèi),相比較而言激光刻蝕技術(shù)的優(yōu)勢(shì)就凸現(xiàn)出來(lái)。
推薦設(shè)備:導(dǎo)電薄膜激光刻蝕機(jī)
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